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标题: TCAD仿真GGNMOS的snapback時的drain电流流向Substrate,为什么？ [打印本页]

作者: 虾皇 时间: 2020-3-2 09:18
标题: TCAD仿真GGNMOS的snapback時的drain电流流向Substrate,为什么？
文章简介：请教一下诸位大侠，我在用TCAD仿真GGNMOS的snapback行为时

请教一下诸位大侠，我在用TCAD仿真GGNMOS的snapback行为時，好不容易仿真出是snapback行为，但发现drAIn端电流总是流向substrate的，而不是流向source端，这个非常不合理啊！drain breakdown时，drain端电流流向substrate可以理解的，但是snapback时，drain端电流应该是流向source端才對？请教一下为什么会这樣,如何改进？
非常感谢！

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