烟台论坛网

标题: 多晶硅也分N+掺杂和P+摻雜吗 [打印本页]

作者: 优游的翅膀 时间: 2020-3-2 09:21
标题: 多晶硅也分N+掺杂和P+摻雜吗
文章简介：1、同一块芯片里面的多晶硅是否都是一种掺杂？2、或者PMOS的多晶是P+

1、同一块芯片里面的多晶硅是否都是一种掺杂？2、或者PMOS的多晶是P+掺杂，NMOS的多晶是N+掺雜？我在Sentaurus TCAD里面发现，多晶的掺杂对MOS管的性能是有影响的。
根据模拟结果，1中MOS管性能很差，2中MOS管正常工作。

作者: 东莞老陈 时间: 2020-3-2 09:21
Polysilicon本身的薄层电阻（Rsh）是比较大的，由于其通常用来做MOS管的栅极，所以为了降低栅极上的电压分布，一般对Poly注入n+或者p+杂质离子，这一点可以从集成电路的制作工艺上看出来。因为MOS管都是做完栅极，再在整个活性区进行p+/n+离子注入在Poly的两侧形成p+或n+扩散区，这样Poly本身也被注入了p+或n+杂质离子。同时为了进一步减少Poly的电阻，提高MOS性能，在现代短沟道工艺中都有Polysilicide工序，在用作栅极的Poly层上沉积导电的硅化物。

欢迎光临烟台论坛网 (http://www.goo0.cn/)