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标题: 求教微電子工艺中Metal密度要求原因，metal濺射、刻蚀后如何保证硅片的平整度。 [打印本页]

作者: 折翼天使 时间: 2020-3-31 20:33
标题: 求教微電子工艺中Metal密度要求原因，metal濺射、刻蚀后如何保证硅片的平整度。
文章简介：工艺小白，请教：在rule里面金属密度有范围要求，一般为硅片平整度要求，

工艺小白，请教：在rule里面金属密度有范围要求，一般为硅片平整度要求，工艺越先进要求越高，僅仅为平整度要求吗，而每次经过metal溅射、刻蚀工艺后，氧化层介质层生长后，如何进行平整度的工艺调整，是叫CMP吗，如果不是能不能解釋下如何进行的，非常感谢。

作者: 猪仔佬 时间: 2020-3-31 20:33
CMP是全局平坦化工艺，精度很高，但是就是代价比较高，需要对工艺进行摸索，价格较高

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