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标题: 栅氧擊穿的问题 [打印本页]

作者: 车亲仁 时间: 2020-3-31 20:38
标题: 栅氧擊穿的问题
请教各位一个栅氧击穿的问题
我们目前用的是55nm的工艺，只有3.3V的IOMOS，和VGD<5V,VGS<2.5V的不对称LDMOS
但是电源电压需要支持到4.3V

电路中有一些用来做disable的PMOS很不好处理，若用3.3V的IOMOS，Vgs不能大于3.6V，但是电路中没有这个电压

这里想请教一个，栅氧的击穿電压和什么有關系呢？
3.3VNMOS Tox=61A，PMOS Tox=63.7A，，，是不是PMOS的栅氧击穿电压会比NMOS高一些？
若是将3.3V的PMOS的Vgs直接拉到4.3V，会有多大的risk fAIl？

谢谢！

作者: cc敏 时间: 2020-3-31 20:38
不会直接breakdown，但会严重影响芯片的reliability。

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