mim电容因天线效应发生击穿问題

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    文章简介：那么问题来了，电路设计把下极板接GND,在CHIP级，GND用了大量的M



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27 分钟前


如图，这个MIM电容上下极板都用到ME6,ME6就是TOP metal,CTM为上极板，CBM是下极板。
为防止刻蚀过程因antenna引起电容击穿，design rule 规定0.5<T/B<2,T：上极板ME6的面积，下极板ME6的面積.
     那么问题来了，电路设計把下极板接GND,在CHIP级，GND 用了大量的ME6,T/B<<0.5,过不了驗证，工艺商给的建议是在上下极板接一个diode,只是理想的认为ME6上過多的电荷会通过diode泄放掉，没有designrule 可以检查，也没有说100%能行。
      请问工艺商给的建议是否合理，如果合理，为什么电荷优先从diode流过？

木村哥哥

就先哪个的击穿电压低哪个就先击穿