请教一个NWELL的问题

马格丽特

最近遇到一个NWELL方面的问题，想请教一下各位大神
DRC有规定不同電位间NWELL之间的最小距离。例如1.2um
但是如果我将3.3V PMOS用在5V下（4个端口之间的电压都小于3.3V）
那5V下的PMOS的NWELL跟其他电位的NWELL之间的最小距离会比3.3V PMOS NWELL下的drc rule大一些吗？

我想这个时候结击穿应该不会发生
那结的深度呢？5V到衬底的结深度肯定比3.6V的結深度厚一些
如果仍然维持3.6V的rule，这些结有连通的可能性吗？
一般这种结深度大概是多少啊？

谢谢~~~

宝来.小云

1# nihaobuhaoa


   相同工艺下，阱的结深是一致的，没有电压高结深就深的说法，这个就看drc规则有没有不同电压下的规则，没有的话问问工艺厂，对方会给你建议的。