cmos集成電路中高精度电阻如何实现

SAMFANG.9LL

老师布置的作业，希望大神能给点指导，可以是查找資料的方向，如果能帮忙详细解答就再好不过了~谢谢啦！

davitcai

我不明白你说的高精度是相对什么的，是说两个电阻的match还是实现一个阻止很精确的Rs。

CMOS工艺中制作的电阻，其载体是多晶硅（poly），通过在poly上注入N+或者P+来导电，注入的剂量和能量一般和MOS的S/D是一样的。也就是说一个具体的CMOS工艺下其poly电阻的方块电阻基本是确定的，想得到不用的阻值，用方块电阻计算一下确定poly的长度和宽度就好。

那么想得到一个很小或很大的电阻，不可能把poly的W和L做的无限大或小，这就分别引入了poly silicide电阻和高阻两种电阻。其载体还是poly，前者是在poly的上表面形成了硅化物（现在经常用CoSi2），其导电性接近金属，因而导电通道基本上是CoSi2，而不是poly本身了，这就形成了小电阻，其方块电阻一般在几Ω/方块的方块电阻；高阻就是会用专门的光刻版HR来阻挡MOS 的S/D注入（工艺中这二者是一起做的，需要把电阻的区域遮挡），那么poly本身的电阻基本接近本征电阻，也可以通过长宽微调其电阻，不过精度不好控制。

希望对你有帮助~